電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)國家標(biāo)準(zhǔn)匯編
一、GB/T2423
有以下51
個(gè)標(biāo)準(zhǔn)組成：
1
GB/T 2423.1-2001
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)A:
低溫
2
GB/T 2423.2-2001
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)B:
高溫
3
GB/T 2423.3-1993
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Ca:
恒定濕熱試驗(yàn)方法
4
GB/T 2423.4-1993
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Db:
交變濕熱試驗(yàn)方法
5
GB/T 2423.5-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
**部分：試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Ea
和導(dǎo)則:
沖擊
6
GB/T 2423.6-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
**部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Eb
和導(dǎo)則：
碰撞
7
GB/T 2423.7-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
**部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Ec
和導(dǎo)則:
傾跌與翻倒 (
主要用于設(shè)備型樣品)
8
GB/T 2423.8-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
**部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Ed:
自由跌落
9
GB/T 2423.9-2001
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Cb:
設(shè)備用恒定濕熱
10
GB/T 2423.10-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
**部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Fc
和導(dǎo)則:
振動(
正弦)
11
GB/T 2423.11-1997
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Fd:
寬頻帶隨機(jī)振動--
一般要求
12
GB/T 2423.12-1997
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Fda:
寬頻帶隨機(jī)振動--
高再現(xiàn)性
13
GB/T 2423.13-1997
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Fdb:
寬頻帶隨機(jī)振動
中再現(xiàn)性
14
GB/T 2423.14-1997
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Fdc:
寬頻帶隨機(jī)振動
低再現(xiàn)性
15
GB/T 2423.15-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
**部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Ga
和導(dǎo)則:
穩(wěn)態(tài)加速度
16
GB/T 2423.16-1999
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)J
和導(dǎo)則:
長霉
17
GB/T 2423.17-1993
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Ka:
鹽霧試驗(yàn)方法
18
GB/T 2423.18-2000
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
**部分:
試驗(yàn)--
試驗(yàn)Kb:
鹽霧,
交變(
氯化鈉溶液)
19
GB/T 2423.19-1981
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Kc:
接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法
20
GB/T 2423.20-1981
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Kd:
接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法
21
GB/T 2423.21-1991
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn) M:
低氣壓試驗(yàn)方法
22
GB/T 2423.22-2002
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)N:
溫度變化
23
GB/T 2423.23-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
試驗(yàn)Q:
密封
24
GB/T 2423.24-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
**部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Sa:
模擬地面上的太陽輻射
25
GB/T 2423.25-1992
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Z/AM:
低溫／低氣壓綜合試驗(yàn)
26
GB/T 2423.26-1992
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Z/BM:
高溫／低氣壓綜合試驗(yàn)
27
GB/T 2423.27-1981
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Z/AMD:
低溫/
低氣壓 /
濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)方法
28
GB/T 2423.28-1982
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)T:
錫焊試驗(yàn)方法
29
GB/T 2423.29-1999
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)U:
引出端及整體安裝件強(qiáng)度
30
GB/T 2423.30-1999
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)XA
和導(dǎo)則:
在清洗劑中浸漬
31
GB/T 2423.31-1985
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
傾斜和搖擺試驗(yàn)方法
32
GB/T 2423.32-1985
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)方法
33
GB/T 2423.33-1989
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Kca:
高濃度二氧化硫試驗(yàn)方法
34
GB/T 2423.34-1986
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Z/AD:
溫度/
濕度組合循環(huán)試驗(yàn)方法
35
GB/T 2423.35-1986
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Z/AFc:
散熱和非散熱試驗(yàn)樣品的低溫/
振動(
正弦)
綜合試驗(yàn)方法
36
GB/T 2423.36-1986
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Z/BFc:
散熱和非散熱樣品的高溫/
振動(
正弦)
綜合試驗(yàn)方法
37
GB/T 2423.37-1989
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn) L:
砂塵試驗(yàn)方法
38
GB/T 2423.38-1990
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn) R:
水試驗(yàn)方法
39
GB/T 2423.39-1990
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
試驗(yàn)Ee:
彈跳試驗(yàn)方法
40
GB/T 2423.40-1997
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Cx:
未飽和高壓蒸汽恒定濕熱
41
GB/T 2423.41-1994
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
風(fēng)壓試驗(yàn)方法
42
GB/T 2423.42-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
低溫/
低氣壓/
振動(
正弦)
綜合試驗(yàn)方法
43
GB/T 2423.43-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
**部分:
試驗(yàn)方法
元件、設(shè)備和其他產(chǎn)品在沖擊(Ea)
、碰撞(Eb)
、振動(Fc
和Fb)
和穩(wěn)態(tài)加速度(Ca)
等動力學(xué)試驗(yàn)中的安裝要求和導(dǎo)則
44
GB/T 2423.44-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
**部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Eg:
撞擊
彈簧錘
45
GB/T 2423.45-1997
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分：試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Z/ABDM
：氣候順序
46
GB/T 2423.46-1997
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分：試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Ef
：撞擊
擺錘
47
GB/T 2423.47-1997
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Fg:
聲振
48
GB/T 2423.48-1997
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Ff:
振動--
時(shí)間歷程法
49
GB/T 2423.49-1997
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Fe:
振動--
正弦拍頻法
50
GB/T 2423.50-1999
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Cy:
恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)
51
GB/T 2423.51-2000
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
第2
部分:
試驗(yàn)方法
試驗(yàn)Ke:
流動混合氣體腐蝕試驗(yàn)
二、GB2421-89
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
總則
三、GB/T2422-1995
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)
術(shù)語
四、GB2424
1.GB2424.1-89
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
高溫低溫試驗(yàn)導(dǎo)則
2.GB/T2424.2-93
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
濕熱試驗(yàn)導(dǎo)則
3.GB/T2424.9-90
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
長霉試驗(yàn)導(dǎo)則
4.GB/T2424.10-93
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
大氣腐蝕加速試驗(yàn)的通用導(dǎo)則
5.GB/T2424.11-82
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
接觸點(diǎn)和鏈接件的二氧化硫試驗(yàn)導(dǎo)則
6.GB/T2424.12-82
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)導(dǎo)則
7.GB/T2424.13-81
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
溫度變化試驗(yàn)導(dǎo)則
8.GB/T2424.14-1995
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
第2
部分
：試驗(yàn)方法
太陽輻射試驗(yàn)導(dǎo)則
9.GB/T2424.15-92
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
溫度/
低氣壓綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
10.GB/T2424.17-1995
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
錫焊試驗(yàn)導(dǎo)則
11.GB/T2424.18-82
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
在清洗濟(jì)中浸漬試驗(yàn)導(dǎo)則
12.GB/T2424.19-84
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
模擬儲存影響的環(huán)境試驗(yàn)導(dǎo)則
13.GB/T2424.20-85
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
傾斜和搖擺試驗(yàn)導(dǎo)則
14.GB/T2424.21-85
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
潤濕稱量法可焊性試驗(yàn)導(dǎo)則
15.GB/T2424.22-86
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
溫度（低溫、高溫）和振動（正
玄）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
16.GB/T2424.23-90
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
水試驗(yàn)導(dǎo)則
17.GB/T2424.24-1995
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程
溫度（低溫、高溫）
/
低氣壓
/
振動（正玄）綜合試驗(yàn)導(dǎo)則
